备受瞩目的三星48层V-NAND3D快闪记忆体早已经常出现在市场上了，TechInsights的报废团队总算等到了大好机会先睹为快。　　三星（Samsung）早在2015年8月就公布其256Gb的3位元多级单元（MLC）3DV-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M，并特别强调将用作各种固态硬碟（SSD），也预计不会在2016年初月上市。

这些允诺如今知道构建了，我们以求在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中找到其踪影（如图1）。　　图1：三星T32TBSSD　　根据TechInsights的报废，我们在这个SSD上找到了含有4个0.5TB容量K9DUB8S7MPCB的双面电路板（如图2）。每一PCB中包括的就是我们于是以想要探寻的16个48LV-NAND晶粒。

　　　　图2：三星T3系列2TBSSD正面和背面电路板　　图3表明这16颗晶粒互相填充以及使用传统线键通技术相连的PCB横截面。这些晶片的厚度仅有40um，无非令人眼睛为之一暗，这也许是我们所见过的PCB中最厚的晶片了。相形之下，我们在2014年报废三星32LN-NAND中的晶粒大约为110um，PCB大约填充4个晶片的高度。　　我们还看完其它较薄的记忆体晶片，还包括海力士（Hynix）用作AMD（AMD）R9FuryX绘图卡的HBM1记忆体，厚度大约为50um，以及在三星以矽穿孔（TSV）点对点4个填充晶片的DDR4，其中有些DRAM晶粒的厚度大约为55um。

　　因此，40um知道是超薄！而且有可能迫近于300mm直径晶圆在需要用于支撑晶圆（carrierwafer）所能构建的最厚无限大。这觉得令人印象深刻印象。　　　　图3：16个互相填充的三星48LV-NAND　　图4表明其中的一个256Gb晶粒，传输了2个5.9mmx5.9mm的较小NAND快闪记忆体组（bank）。

我们可以将整个晶片区域区分为约2，600Mb/mm2的记忆体大小，计算出来出有记忆体密度总量。相形之下，三星16nm节点的平面NAND快闪记忆体测量大约为740MB/mm2。

所以，尽管V-NAND使用较小的制程节点（~21nmvs.16nm），其记忆体密度完全是16nm平面NAND快闪记忆体的3.5倍（闻表格1）。

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